产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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TK5R3E08QM,S1X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,160A,RDS(on)=4.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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IPP084N06L3G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AON6246-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NCE60ND18G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,17A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NCE60ND18G;NCE60ND18G
NCE60ND18G;NCE60ND18G
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TK155A65Z,S4X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,18A,RDS(on)=230(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PSMN3R5-40YSBX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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AP2N7002K-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SM2A18NSV-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,200V,1A,RDS(on)=1200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPD090N03LGATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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AFN2324S23RG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,100V,2A,RDS(on)=240(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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RJK03L3DNS-WS#J5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,60A,RDS(on)=4.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.46V
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NCE75H35TC-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,100V,380A,RDS(on)=1.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPD50R500CE-VB
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中高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,500V,7A,RDS(on)=550(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPD50R500CE
IPD50R500CE
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BUK96180-100A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,20A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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HUF76429D3ST-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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