产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SI4425BDY-T1-E3-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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SI4425BDY-T1-E3;SI4425BDY-T1-E3
SI4425BDY-T1-E3;SI4425BDY-T1-E3
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ZXMN10A11KTC-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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PSMN1R5-50YLHX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NCEP60T18A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AM2390N-T1-PF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,200V,0.6A,RDS(on)=1400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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PMPB10XNEZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,20V,12A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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D4184A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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AP6679GH-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-60A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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AP6679GH
AP6679GH
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BUK6D38-30EX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=23(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IPW65R115CFD7AXKSA1-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FDMS7560S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SIHB155N60EF-GE3-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK2632LS-CB11-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,800V,4A,RDS(on)=1800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2N7002-TP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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2N7002-TP
2N7002-TP
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FCHD190N65S3R0-F155-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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