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产品列表

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NVTFS4C05NWFTAG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SI080P04L-13P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-40V,-3.6A,RDS(on)=71(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
SI4848ADY-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,150V,5.4A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
SI4848ADY-T1-GE3
SI4848ADY-T1-GE3
K16A60W-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
K16A60W
K16A60W
STD6N80K5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,800V,7A,RDS(on)=770(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
F540NS-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,45A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
SUP90N04-3M3P-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,40V,110A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
SIHG125N65E-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,600V,26A,RDS(on)=115(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
2SK3618-E-VB TO251
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO251
N-Ch,100V,15A,RDS(on)=110(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
BUK9Y8R5-80EX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
FDMA7632-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,30V,10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
2N03L04-VB TO220
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STP60N06-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FQP13N10L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,18A,RDS(on)=127(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
FQP13N10L;FQP13N10L
FQP13N10L;FQP13N10L
MGSF1P02ELT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-3.5A,RDS(on)=71(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V