首页 >  微碧 直营品牌站 >  产品中心

产品列表

共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
型号 分类 品牌 批号 封装 参数规格 替代参考 询价
STD50NH02LT4-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NTMD6N02R2G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,20V,7.1A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
NTMD6N02R2G
NTMD6N02R2G
NVD5863NLT4G-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NTD4860NT4G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SI4483EDY-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-13.5A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
SSM3K09FU-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
N-Ch,20V,4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
SSM3K09FU;SSM3K09FU
SSM3K09FU;SSM3K09FU
30N04-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
26NM60N-VB TO220F
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
NTMFS6H800NLT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
MDD1902RH-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,40A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
MDD1902RH(MAGNACHIP/美格纳);MDD1902RH
MDD1902RH(MAGNACHIP/美格纳);MDD1902RH
IRF840ASTRLPBF-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRF840ASTRLPBF
IRF840ASTRLPBF
CSD16413Q5A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
CSD16413Q5A
CSD16413Q5A
IPW65R080CFDFKSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FQD7N20L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,200V,10A,RDS(on)=245(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PSMN3R5-80PS-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,80V,160A,RDS(on)=4.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
PSMN3R5-80PS
PSMN3R5-80PS