产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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QM3100M6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TPH2R608NH,L1Q-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TPH2R608NH,L1Q
TPH2R608NH,L1Q
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NGTB25N120FL3WG-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,1200V,25A,VCEsat=1.55V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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NGTB25N120FL3WG;NGTB25N120FL3WG
NGTB25N120FL3WG;NGTB25N120FL3WG
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BSR802NL6327HTSA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23
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130N10F3-VB TO220
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STW15NM60ND-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,15A,RDS(on)=300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DMP3013SFV-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-30V,-45A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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SI4688DY-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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MCQ05P10Y-TP-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-100V,-4.5A,RDS(on)=110(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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9926B-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,20V,7.1A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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TK7A65D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AP6679GH-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-60A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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AP6679GH-HF(APEC/富鼎)
AP6679GH-HF(APEC/富鼎)
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TK1K2A60F,S4X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,6A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI7234DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN5*6
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SI7234DP-T1-GE3
SI7234DP-T1-GE3
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FQPF19N20C-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,200V,20A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FQPF19N20C
FQPF19N20C
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