产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SVF4N65AF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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K2956-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,30V,68A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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QS8K13-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)-B
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N+N-Ch,20V,20A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
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IXTH30N50L-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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NCE70R260-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,700V,20A,RDS(on)=210(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DI035N10PT-AQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,100V,27A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FCPF260N60E-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,15A,RDS(on)=280(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RJK1021DPE-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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INN650D140A-VB
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氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN 8x8
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Single-N,650V,20A,RDS(on)=110@VGS=6V,VGS=-1.5~7V,Vth=1.5V
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HFD6N70U-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,700V,2A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI4778DY-T1-E3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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715310E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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3N0404-VB TO262
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,40V,75A,RDS(on)=5.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
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SFP9614-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-250V,-7A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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FB3006G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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