产品列表
共计 52894 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CMP7575A-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
CEM9956A-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N+N-Ch,30V,6.8/6.0A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
65F660-VB TO252
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,700V,10A,RDS(on)=600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
SWF7N60A-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
AP4224LGM-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N+N-Ch,20V,10A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
|
|
|
|
RSD221N06TL-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
JCS7N65F-O-F-N-B-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
PMPB16R5XNE-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFNWB22-6L
|
|
||
|
NCE15H10A-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,150V,100A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
NTLJD3183CZTBG-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN6(2X2)-B
|
N+P-Ch,±20V,±5A,RDS(on)=20/32(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.8/-0.8V
|
|
|
|
STD7N52K3-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
BSS119 E7978-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
|
||
|
MTNK1N3-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
NVTFS005N04CTAG-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(3X3)
|
N-Ch,40V,28A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
SiHFPE30-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247
|
N-Ch,850V,10A,RDS(on)=1150(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.3V
|
|