产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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QS6U24-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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LSG01N65-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IXTH22N50P-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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HIRF840-VB TO220
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,500V,13A,RDS(on)=660(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.1V
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FDD86381_F085-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,35A,RDS(on)=15(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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BSS138KT-13P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-3
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IRF7707GTRPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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P-Ch,-20V,-9A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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AOT15S60-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BUK7Y10-30B-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,30V,90A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
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SW1N60DC-VB TO252
1
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小信号MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,600V,1A,RDS(on)=8000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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P1504BDG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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UPA2520T1H-T1-AT-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)-B
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N+N-Ch,20V,20A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
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FU224A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,250V,3.8A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMN3018SFGQ-7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,18A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI4411DY-T1-E3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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