产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SH8J65TB-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-8A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.7V
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SM1A16PSUB-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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P-Ch,-100V,-16A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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CMD8447-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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FR9012-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IRFI7536GPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=2.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPT60T022S7XTMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLLB
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N-Ch,600V,67A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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MMDF1300R2G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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IPP65R310CFD-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,15A,RDS(on)=220(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SM1A21NSKP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,30A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FDC8601-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,100V,3.2A,RDS(on)=95(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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ELM13403CA-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SIHD2N80AE-T5-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,800V,2A,RDS(on)=2600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IAUC100N04S6L020ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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HAT2026R-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VSO007N07MS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,80V,16A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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