产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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IRF3711PBF-VB
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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2SJ666-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-100V,-37A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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SSM9685M-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,100V,9A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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J134-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-100V,-18A,RDS(on)=167(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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2SK3480-AZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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STB4NK60Z-1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SW026R03VT-VB TO252
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK9832-55A,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PSMN013-80YS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT-669
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PSMN013-80YS
PSMN013-80YS
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SI7491DP-T1-GE3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-30V,-60A,RDS(on)=7.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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TK20A20D-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,200V,20A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SK2817-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PSMN3R3-80ES-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,80V,85A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NTMFS0D9N04XLT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NTMFS5C404NT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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