产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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NCE01P30I-VB
1
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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P-Ch,-100V,-40A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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IPP60R450E6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BSZ105N04NSGATMA2-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,40V,28A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IXFH22N50P-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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STD1NB50-1-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NP15P06SLG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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NCE30NP4030G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=22/31(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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PSMN8R5-100XSQ-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO220F
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TSM4925DCS-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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R6007ENX-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTR3162PT3G-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SiHFZ48R-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSL202SNL6327HTSA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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IAUC40N08S5L140ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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W55NM60N-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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