产品列表
共计 52894 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOI4S60-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO251
|
N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
H7N1004AB-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
K3155-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,200V,20A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
DMP26M7UFG-13-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(3X3)
|
P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
|
|
|
|
SiHFD9110-E3-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DIP8
|
P+P-Ch,-100V,-0.7A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
|
|
|
|
AF8510CSLA-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
|
|
|
|
K2059-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
SI9424BDY-T1-E3-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
P-Ch,-20V,-13A,RDS(on)=15(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
|
|
|
|
BUK582-06A-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT223
|
|
||
|
TPCA8008-H-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
|
|
|
|
SM2630DSC-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-6
|
N+N-Ch,20V,6A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
|
|
|
|
HUF75344S3ST-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
APM2309AC-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
|
||
|
AUFZ48N-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
4P0305-VB TO263
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
|
|