产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FR430BTF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BSC0923NDIATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN5X6-8L
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SM4337NSKP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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GSS4501-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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DMN2015UFDE-7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,20V,12A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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SPN4920S8RGB-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,8.5A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FIB41N15D-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,200V,45A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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MI4614-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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HM1N60-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=3120(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK3761-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RJK4518DPK-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,47A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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F1010-VB TO220
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FQU3N50CTU-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NCE30H11G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK4097LS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,550V,18A,RDS(on)=260(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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