产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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120N06N-VB TO263
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NVMFD5485NLWFT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,17A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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WFW9N90W-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,900V,9A,RDS(on)=750(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTD4857NT4G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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CEU55N10-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IPB055N03L G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI4833BDY-T1-GE3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-7.3A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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AP4920M-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,20V,7.1A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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SUD25N04-25-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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PSMN1R4-40YLD,115-NEX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NVHL065N65S3F-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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APM1404AS-TRL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,20V,4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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FBF30S-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,900V,7A,RDS(on)=950(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IXTQ26N60P-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK1421-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=27(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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