产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCEP11N10AK-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
IRLS3036-7PPBF-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263-7L
|
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
PMV42ENER-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
SQ2308FES-T1_BE3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
RJK0632JPD-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
ZXMP6A17KTC-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
IPP100P03P3L-04-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
|
|
|
|
IRF740ASTRR-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
NP82N04NLG-S18-AY-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO262
|
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
PHP110NQ08LT,127-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
HY3010B-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
IPD90N06S4L-03-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,120A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
BUK7610-100B,118-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
IPW65R050CFD7AXKSA1-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247
|
N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
FDT459N-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT223
|
N-Ch,30V,7A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|