产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCPF260N65FL1-F154-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,18A,RDS(on)=230(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
SI4688DY-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
NP90N04MUH-S18-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,40V,110A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
SFS08R03GNF-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,80V,140A,RDS(on)=2.65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
|
|
|
|
MDS9754URH-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
|
|
|
|
UPA2746UT1A-E2-AY-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
NCEP1550JG-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,150V,70A,RDS(on)=13.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
SI3454DV-T1-E3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-6
|
N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
BSS205NH6327XTSA1-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
|
||
|
STB13NM60N-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
D1NK60-VB TO252
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
SM4301PSKC-TRG-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
P-Ch,-30V,-18A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
|
|
|
|
PMN70XPEA115-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-6
|
P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
BSC0921NDI-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)-C
|
N+N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
BSC0921NDI;BSC0921NDI
BSC0921NDI;BSC0921NDI
|
|
|
PMV90ENER-VB
|
N沟道MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,30V,5A,RDS(on)=47(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
PMV90ENER;PMV90ENER
PMV90ENER;PMV90ENER
|