产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FDPF5N50NZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRLZ24NS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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RJK0393DPA-0G#J7A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRF3707ZS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRF1404L-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.3V
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IRFU9014PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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P-Ch,-60V,-20A,RDS(on)=66(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IRFU9014PBF
IRFU9014PBF
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IPP040N06N-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPP040N06N
IPP040N06N
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IRF9510STRL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-100V,-12A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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MDP1901TH-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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DMS3016SSSA-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI7423DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-30V,-45A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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2SK3109-Z-E1-AZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,200V,9A,RDS(on)=400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMN29M9UFDF-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,20V,12A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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AM7481P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-100V,-55A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2~-4V
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ISC009N06LM5ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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ISC009N06LM5ATMA1
ISC009N06LM5ATMA1
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