产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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PH1875L,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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NTMFS4C025NT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SQJ412EP-T1_BE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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AP2300GN-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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TPCA8050-H-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IRF740ASTRL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RD3E08BBJHRBTL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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FCPF260N60E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,15A,RDS(on)=280(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SSD2009ATF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SSM6J503NU-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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P-Ch,-20V,-10A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
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NVMFD5C674NLT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,40A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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EMB09N03A-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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MCB6D5N15YH-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,150V,140A,RDS(on)=5.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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HUFA76645S3ST_F085-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NP75N055YUK-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,90A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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