产品列表

共计 22704 条库存
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型号 分类 品牌 批号 封装 参数规格 替代参考 询价
STS9NH3LL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
AM4533C-T1-PF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
AM4533C-T1-PF
AM4533C-T1-PF
PHP45NQ10T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
KIA2806A-VB TO220
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
DMG7401SFG-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-30V,-30A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
IPD30N06S4L23ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
STH240N10F7-2-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,350A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STH240N10F7-2;STH240N10F7-2
STH240N10F7-2;STH240N10F7-2
DMN2050LFDB-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
N+N-Ch,30V,5.8A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IAUC100N04S6L025ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NDF08N50ZG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
BUK100-50GL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,20A,RDS(on)=72(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STP22NF03L_07-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
PSMN021-100YLX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
XPN7R104NC,L1XHQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,40V,40A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FDD86540-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FDD86540;FDD86540
FDD86540;FDD86540