产品列表
共计 22704 条库存
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分类:
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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STS9NH3LL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AM4533C-T1-PF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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AM4533C-T1-PF
AM4533C-T1-PF
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PHP45NQ10T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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KIA2806A-VB TO220
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMG7401SFG-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-30V,-30A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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IPD30N06S4L23ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STH240N10F7-2-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,350A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STH240N10F7-2;STH240N10F7-2
STH240N10F7-2;STH240N10F7-2
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DMN2050LFDB-7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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N+N-Ch,30V,5.8A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IAUC100N04S6L025ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NDF08N50ZG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BUK100-50GL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,20A,RDS(on)=72(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STP22NF03L_07-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PSMN021-100YLX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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XPN7R104NC,L1XHQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,40V,40A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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FDD86540-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FDD86540;FDD86540
FDD86540;FDD86540
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