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产品列表

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AUIRF3805S-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FQB20N06TM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BUK9628-100A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,70A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
STB30N80K5-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,800V,25A,RDS(on)=138(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STB30N80K5;STB30N80K5
STB30N80K5;STB30N80K5
SI2301N-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-3.5A,RDS(on)=71(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
SI7922DN-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)-B
N+N-Ch,100V,12.1A,RDS(on)=71(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
IXTH26N60P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
DMTH4004SPSW-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=1.09(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FDP14AN06LA0-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SIA449DJ-T1-GE3-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
P-Ch,-30V,-10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
SIA449DJ-T1-GE3;SIA449DJ-T1-GE3
SIA449DJ-T1-GE3;SIA449DJ-T1-GE3
GT025N06AD5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FQA46N15-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO3P
N-Ch,150V,90A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BUK951R9-40E,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,40V,280A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FDB15N50-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FDB15N50;FDB15N50
FDB15N50;FDB15N50
SGH40N60UFD-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO-247
SGH40N60UFD
SGH40N60UFD