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产品列表

共计 22704 条库存
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HPP800R300PD-G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,800V,20A,RDS(on)=240(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
RU190N08R-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,80V,195A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPWS65R075CFD7A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,38A,RDS(on)=67(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SI1K5N06UKW-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
MTDF1C02HDR2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
MSOP8
N+P-Ch,±30V,6A/-5A,RDS(on)=22/45(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.75V
PSMN009-100P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
DMN2451UFDFWQ-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,20V,12A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
FQP22N30-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,500V,30A,RDS(on)=140(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FQP22N30;FQP22N30
FQP22N30;FQP22N30
STS10DN3LH5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,60V,10A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STS10DN3LH5
STS10DN3LH5
CES2362-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
RQ3E120AT-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-30V,-45A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
RQ3E120AT
RQ3E120AT
STP11NK50Z-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STP11NK50Z;STP11NK50Z
STP11NK50Z;STP11NK50Z
SM4838NSKC-TRG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
PHT6NQ10T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
N-Ch,100V,5A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
PHT6NQ10T;PHT6NQ10T
PHT6NQ10T;PHT6NQ10T
BUK7210-55B-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V