产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FQD6N40C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPD122N10N3GBTMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STL210N4F7AG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BSP295H6327XTSA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223-3
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2SJ486ZU-TL-E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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MDS1653URH-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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CPH3407-TL-E-ON-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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HYG170ND03LA1S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,13.5A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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UPA2708GR-E1-AT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,15A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.79V
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BUK762R0-40C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,280A,RDS(on)=1.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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3N60ZG-TF3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PMDT290UNE-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT666
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PMDT290UNE
PMDT290UNE
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IRF1405STRLPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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RFP10N15-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,200V,10A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NCEP015N30GU-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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