产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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NDS0605-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-60V,-0.5A,RDS(on)=3000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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MTP50N06V-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FQD9N25-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,250V,17A,RDS(on)=176(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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SSVD5804NT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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FDMC6688P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.2V
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TK62N60X,S1F-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,600V,67A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PMF370XN,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,30V,1.1A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.8V
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IRL3705ZPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRL3705ZPBF;IRL3705ZPBF
IRL3705ZPBF;IRL3705ZPBF
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SP35N120CTF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,1200V,65A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +22V,Vth=2~4V
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RHU002N06T106-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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RHU002N06T106
RHU002N06T106
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||
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RJK0358DSP-00#J0-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TK155E65Z,S1X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SISA24DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.6V
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SI2392DS-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,100V,4.3A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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SISS92DN-T1-BE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,250V,10.3A,RDS(on)=125(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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