产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
H7P1002DSTL-E-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
P-Ch,-100V,-16A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
|
H7P1002DSTL-E
H7P1002DSTL-E
|
|
|
FQB9N50TM-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
FQPF45N15V2-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,200V,45A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
RJK5026DPP-A0#T2-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
BUK7608-40B,118-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
IRF740LCPBF-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,650V,11A,RDS(on)=420(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
IKB20N65EH5-VB
|
IGBT管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
IGBT+FRD,600/650V,25A,VCEsat=1.9V@ VGE=15V,VGE=±20V,VGEth=5V
|
|
|
|
FQD3N50CTF-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
2SJ610-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
P-Ch,-250V,-6A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
|
|
|
|
IHW50N65R6-VB
|
IGBT管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247
|
IGBT+FRD,600/650V,60A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
|
|
|
|
IRFR2607ZTRPBF-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,100V,45A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
K8A50D-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
BSP122-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT223
|
N-Ch,200V,1A,RDS(on)=1200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
BSP122
BSP122
|
|
|
15P10-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
P-Ch,-100V,-16A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
|
|
|
|
STD22NM20NT4-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,200V,30A,RDS(on)=55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|