产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FDS4435BZ-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-9A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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BSC028N06NSSCATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRF7321D2TRPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-7.3A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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UT2955G-TN3-R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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TPH2R408QM,L1Q-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,140A,RDS(on)=2.65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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STP85NF55L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMT10H009LK3-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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DMT10H009LK3-13;DMT10H009LK3-13
DMT10H009LK3-13;DMT10H009LK3-13
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IKD15N60RF-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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IGBT+FRD,600/650V,15A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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FQPF65N06-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,70A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IXTH22N50P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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AM110N06-08P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TK11A60D(STA4,Q,M)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,11A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VSD007P06MS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-70A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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UPA677TB-T1-A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-6
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N+N-Ch,20V,2.6A,RDS(on)=86(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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IPD220N06L3GATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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