产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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TK11A45D(STA4,Q,M)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRF3710ZPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IRF3710ZPBF;IRF3710ZPBF
IRF3710ZPBF;IRF3710ZPBF
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2SK3377(0)-Z-E1-AZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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MTD15N06VLT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,18A,RDS(on)=73(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PSMN165-200K-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,200V,3A,RDS(on)=260(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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HUF75344P3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMP6110SFDFQ-7-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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P-Ch,-60V,-5A,RDS(on)=85(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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DMTH10H1M5STTWQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLT-16
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N-Ch,100V,415A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRF3707SPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDS9435A-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-5.8A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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AP9971H-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,18A,RDS(on)=73(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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06N80C3-VB TO220
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,800V,7A,RDS(on)=850(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI7322ADN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,100V,21A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FGH30N60LSDTU-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,600/650V,30A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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FDS4935A-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-8A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.7V
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