产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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P55NF06-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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P55NF06
P55NF06
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AP60T03GH-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP60T03GH
AP60T03GH
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15N03-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FX20ASJ-03F-T13#X3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-14.9A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.9V
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DMP1055UFDB-7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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P+P-Ch,-20V,-5.3A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.8V
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IAUTN06S5N008ATMA1-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLL
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N-Ch,60V,340A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FQPF6N60C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FQPF6N60C
FQPF6N60C
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FB31N20D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,200V,35A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FDMC86520L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,60V,30A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FDMC86520L
FDMC86520L
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NDS9407-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-60V,-8A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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RJK5009DPP-00#T2-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,550V,20A,RDS(on)=250(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NVMFS5C628NLET1G-YE-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SJ562-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT89
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P-Ch,-30V,-7.6A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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TK10A60W,S4X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,9A,RDS(on)=550(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STU312D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252-4L
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N+P-Ch,±40V,±50A,RDS(on)=16/16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
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