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产品列表

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SI1304BDL-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
N-Ch,20V,4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
SI1304BDL-T1-GE3
SI1304BDL-T1-GE3
AONR36326C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,40A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STP19NF20-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,200V,30A,RDS(on)=110(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
DMC1030UFDBQ-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
N+P-Ch,±20V,±5A,RDS(on)=20/32(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.8/-0.8V
W45NM50-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
RU3090M-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
PSMN5R6-100PS-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IXTH36N50P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
SPD06N60C3BTMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
CEU6060N-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FCH023N65S3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,64A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FCH023N65S3
FCH023N65S3
AIMZH120R060M1TXKSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247-4L
N-Ch,1200V,30A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=18V,VGS=-4 / +22V,Vth=2~4V
2SJ656-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
P-Ch,-100V,-50A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
FDMS86540-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,100A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FDMS86540;FDMS86540
FDMS86540;FDMS86540
NVMFS5C423NLAFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V