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产品列表

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PMR280UN,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC75-3
N-Ch,20V,0.85A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
NVMFS5C410NAFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
HY15P03C2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
HY15P03C2;HY15P03C2
HY15P03C2;HY15P03C2
P75N75-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
HM4435B-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-9A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
HY1303C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRFUC20PBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO251
N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRFUC20PBF
IRFUC20PBF
TK4A55D(STA4,Q,M)-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,550V,2A,RDS(on)=3000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
BSS138IXTSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BSS138IXTSA1
BSS138IXTSA1
IRFB4510GPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IGLR70R270D2S-VB
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
Single-N,650V,10A,RDS(on)=190@VGS=6V,VGS=-1.4~7V,Vth=1.5V
BSC265N10LSF G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,30A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
20N60C3-VB TO263
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
7N65-VB TO252
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SQS181ELNW-T1_GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-60V,-36A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V