产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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AOD242-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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AOD242;AOD242
AOD242;AOD242
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BSS138BKWT106-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK7Y12-100EX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.0(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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PHP83N03LT,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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STC6602-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N+P-Ch,±20V,5.5/-3.4A,RDS(on)=22/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.0/-1.2V
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APM2556NUC-TRL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IPW60R031CFD7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,64A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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MT8103-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-13.5A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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MT8103
MT8103
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SM6127NSKP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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8N80L-TF1-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,800V,7A,RDS(on)=770(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IXFX44N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK4115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,900V,9A,RDS(on)=750(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK4115;2SK4115
2SK4115;2SK4115
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IRFU4105PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,60V,35A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STL150N3LLH5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IPD031N06L3GATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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