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产品列表

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BUK7Y9R9-80EX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
DMTH8008SFGQ-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,80V,56A,RDS(on)=7.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NTB5405NG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IPB80N06S2L-11-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPW65R110CFDA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPW65R110CFDA;IPW65R110CFDA
IPW65R110CFDA;IPW65R110CFDA
NP110N055PUK-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SI1470DH-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-6
N-Ch,30V,4.5A,RDS(on)=23(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
65N06-VB TO220F
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,60V,70A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IPW50R250CP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
NTMS4937NR2G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
TK12A60U-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=320(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TK12A60U
TK12A60U
IRF7751GTRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TSSOP8
P+P-Ch,-30V,-5.2A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
PSMNR90-40YLH-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PMV41XPAR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
PMV41XPAR;PMV41XPAR
PMV41XPAR;PMV41XPAR
SI9945BDY-T1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V