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产品列表

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BSS214NWH6327-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
BSS214NWH6327
BSS214NWH6327
AP2334GN-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
2SK3105-T1B-A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NTMFD5C672NLT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+N-Ch,60V,40A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SUB75P05-08-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-60V,-120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
FQD10N20C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,200V,10A,RDS(on)=245(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FQD10N20C
FQD10N20C
AP0603GH-HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPA50R250CP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPA50R250CP;IPA50R250CP
IPA50R250CP;IPA50R250CP
CMD5950-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-100V,-40A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
MCG062N15Y-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,150V,25.5A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SI7326DN-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,30A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
PMN25UN,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-6
N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IAUCN04S7L005-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
DMTH10H071LFDFW-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,100V,7A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
NTTFS5116PLTWG-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-60V,-11A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.6V
NTTFS5116PLTWG;NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG;NTTFS5116PLTWG