首页 >  微碧 直营品牌站 >  产品中心

产品列表

共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
型号 分类 品牌 批号 封装 参数规格 替代参考 询价
STF15NM65N-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=320(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STF15NM65N;STF15NM65N
STF15NM65N;STF15NM65N
RSR025P03-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
FDMS86550ET60-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FDMS86550ET60
FDMS86550ET60
TK62N60W5,S1VF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,600V,67A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
ST9402-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
PSMN7R0-100BS,118-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,140A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
MCAC015P06YQ-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-60V,-45A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
SVD4N60F-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
RU6085H-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,60V,16A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
RU6085H
RU6085H
AP9997GH-HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
NVMFD5489NLWFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+N-Ch,60V,17A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
ZXMC3A17DN8TA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
DMTH10H009LFG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IRF620PBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,200V,10A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IRF620PBF
IRF620PBF
IXTP4N80P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,850V,4A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V