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产品列表

共计 22704 条库存
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SI4943CDY-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P+P-Ch,-20V,-8.9A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.2V
FDMC007N30D-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)-C
N+N-Ch,30V,35A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPB029N15NM6ATMA1-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,150V,186A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.2V
FQD30N06TM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FQD30N06TM;FQD30N06TM
FQD30N06TM;FQD30N06TM
IPB720P15LM-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-150V,-40A,RDS(on)=65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
IPB720P15LM
IPB720P15LM
SQM40P10-40L-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-100V,-37A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
NVMFS4C03NWFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BSS214NH6327XTSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23
BSS214NH6327XTSA1
BSS214NH6327XTSA1
AO4408-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
AO4408;AO4408
AO4408;AO4408
PSMN005-55B,118-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PHP143NQ04T,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,40V,110A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
PHB29N08T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,20A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
STW33N60M6-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,600V,26A,RDS(on)=115(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SPP2341S23RG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
TPN7R504PL,LQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,40V,40A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V