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产品列表

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DMP3068L-13-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
CSD17302Q5A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
CSD17302Q5A;CSD17302Q5A
CSD17302Q5A;CSD17302Q5A
BUK664R8-75C,118-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FQPF7N60C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
BUK9520-100A,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
AP0504GH-HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IRF630STRLPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,200V,10A,RDS(on)=300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PHB146NQ06LT,118-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BUK453-60A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,20A,RDS(on)=72(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
ZMCA88405M-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)-B
N+P-Ch,±30V,8/-6A,RDS(on)=13/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
2SK2869STL-E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SSM6N36TU-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-6
N+N-Ch,20V,2.6A,RDS(on)=86(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
SIR401DP-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
PSMN8R5-60YS,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,60V,64A,RDS(on)=6.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~3V
SISS27ADN-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-30V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
SISS27ADN-T1-GE3
SISS27ADN-T1-GE3