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产品列表

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16N65M5-VB TO220F
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=320(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPL60R075CFD7AUMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8X8
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
HUF75307T3ST-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
N-Ch,60V,4.5A,RDS(on)=76(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
TSF12N65M-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TSF12N65M;TSF12N65M
TSF12N65M;TSF12N65M
RZF013P01TL-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
P-Ch,-20V,-3.1A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
RZF013P01TL
RZF013P01TL
TJ80S04M3L,LXHQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-40V,-90A,RDS(on)=6.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
STB6NK60ZT4-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,650V,10A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STB6NK60ZT4
STB6NK60ZT4
YJG40P03A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-60A,RDS(on)=7.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
SSM6J507NU,LF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
P-Ch,-30V,-10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
BUK963R3-60E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BUK963R3-60E
BUK963R3-60E
STB33N65M2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FCPF11N60-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=320(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FCPF11N60;FCPF11N60
FCPF11N60;FCPF11N60
IPB090N06N3G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
DOS12N02-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,20V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
BSP317P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
P-Ch,-250V,-2.1A,RDS(on)=1200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
BSP317P;BSP317P
BSP317P;BSP317P