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产品列表

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IPD50P04P4L11ATMA2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-40V,-50A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
SIR690DP-T1-BE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,200V,35A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SIR124DP-T1-RE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,80V,60A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BUK9505-30A,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STP9NK60Z-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,650V,10A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STP9NK60Z;STP9NK60Z
STP9NK60Z;STP9NK60Z
NTMD5836NLR2G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,30V,8.5A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NVMFD5C466NLWFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+N-Ch,40V,60A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.1V
NVMFD5C466NLWFT1G
NVMFD5C466NLWFT1G
CEM8311-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P+P-Ch,-30V,-8A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.7V
SSM6N36FE-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC75-6
N+N-Ch,20V,0.6A,RDS(on)=300(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
SSM6N36FE
SSM6N36FE
SMG2302-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
2SK1637-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
BSC019N06NS-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BSC019N06NS;BSC019N06NS
BSC019N06NS;BSC019N06NS
15N80K5-VB TO220
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,800V,15A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IXTP64N10L2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
P3NK60ZFP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V