产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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UTT15P06G-TN3-R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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FDMA2002NZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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N+N-Ch,30V,5.8A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDMA2002NZ
FDMA2002NZ
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FDMC8588A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,20V,58A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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IPG20N04S4L-08A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,40V,60A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.1V
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SSM6N37FU,LF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-6
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STW24N60DM2-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRFB3006-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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RSF015N06TL-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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RSF015N06TL
RSF015N06TL
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NTMFS4847NAT3G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=4.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~2V
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IRF9610S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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IRFR9310PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-500V,-4A,RDS(on)=3900(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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IRFR9310PBF;IRFR9310PBF
IRFR9310PBF;IRFR9310PBF
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IRLMS5703TRPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IRLMS5703TRPBF;IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703TRPBF;IRLMS5703TRPBF
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SI4413ADY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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PSMN1R1-25YLC,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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QN0404-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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