产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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PSMN026-80YS,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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2SK2043-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=1700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FDMS8670AS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SQJ456EP-T2_GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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AON2411-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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P-Ch,-20V,-10A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
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AO3411-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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AO3411
AO3411
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BSZ340N08NS3 G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,100V,35.5A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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BSP170PE6327T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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P-Ch,-60V,-7A,RDS(on)=55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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RJK03M0DPA-WS#J5A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AFN4850WSS8RG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,60V,7.6A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AOD498-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IPD78CN10N G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,25A,RDS(on)=55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IRFH5206TR2PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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FGH40N65UFDTU-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,600/650V,40A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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SPP70N10L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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