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产品列表

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MCB5D0N06YHHE3-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SI4904DY-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,40V,13A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
SI4904DY-T1-E3;SI4904DY-T1-E3
SI4904DY-T1-E3;SI4904DY-T1-E3
CEP73A3G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
CSD17570Q5B-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,280A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
FDS5670-NL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,60V,12A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FQP8N90C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
RJK6014DPP-A0#T2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,16A,RDS(on)=480(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPLU250N04S4-1R7-VB
低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TOLL
N-Ch,40V,330A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPLU250N04S4-1R7;IPLU250N04S4-1R7
IPLU250N04S4-1R7;IPLU250N04S4-1R7
GAN140-650EBEZ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8X8
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
RS6G120CHTB1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
2SK213-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
SiA975DJ-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
P+P-Ch,-30V,-5.4A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.7V
IXFH140N10P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,100V,150A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NVMFD5C674NLWFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+N-Ch,60V,40A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STGF7H60DF-VB
IGBT管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
IGBT+FRD,600/650V,7A,VCEsat=1.65V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V