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产品列表

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MCH3382-TL-H-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
P-Ch,-20V,-3.1A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
FQD50N06L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
QM3002M3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,30A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SUG90090E-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,200V,120A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4V
NCE40NP2815G-VB
N+P沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+P-Ch,±60V,30/-15A,RDS(on)=32/65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
AP4506GEM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
NX7002AKAR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NX7002AKAR;NX7002AKAR
NX7002AKAR;NX7002AKAR
PMPB14R0EPX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
P-Ch,-30V,-10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
PMPB14R0EPX;PMPB14R0EPX
PMPB14R0EPX;PMPB14R0EPX
TSM6866SDCA RVG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TSSOP8
N+N-Ch,20V,7.5A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.86V
PSMN2R0-30YL,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,30V,90A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
SI3459BDV-T1-BE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-6
P-Ch,-60V,-3.5A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
DMC2041UFDB-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
N+P-Ch,±20V,±5A,RDS(on)=20/32(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.8/-0.8V
AM2308NE-T1-PF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPA60R160C6-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPG20N06S2L35AATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
QFN8(5X6)