产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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NTMYS011N04CTWG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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BUK9Y19-100E,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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UPA2717GR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-18A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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SISH615ADN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
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P60NF06-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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P60NF06
P60NF06
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STL120N8F7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,120A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STL120N8F7;STL120N8F7
STL120N8F7;STL120N8F7
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FDMC7570S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.6V
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SI7860DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PM25LV512A-100SCE-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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PM25LV512A-100SCE
PM25LV512A-100SCE
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FQD1N60C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FQD1N60C
FQD1N60C
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IRLIZ14GPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=27(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTTFS5C680NLTAG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,60V,30A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK2953-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,15A,RDS(on)=280(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PMPB13UPX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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P-Ch,-30V,-10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SI9928DY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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