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产品列表

共计 22704 条库存
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AOTF12N65-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
WSP4882-VB
双N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,30V,6.8/6.0A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRLR8259TRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRLR8259TRPBF;IRLR8259TRPBF
IRLR8259TRPBF;IRLR8259TRPBF
AOD402-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SM4309PSK-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-18A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
NGTB50N65FL2WG-VB
IGBT管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
IGBT+FRD,600/650V,60A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
NGTB50N65FL2WG;NGTB50N65FL2WG
NGTB50N65FL2WG;NGTB50N65FL2WG
IPLK80R750P7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN5x6
NCE60R540K-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TJ20S04M3L,LXHQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-40V,-40A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
KIA3407-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
ISP25DP06LMAXTSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
P-Ch,-60V,-7A,RDS(on)=55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
HAT2054M-EL-E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-6
N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BSZ042N06NSATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=6.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
UT3403G-AE3-R-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
AON6435-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-120A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
AON6435;AON6435
AON6435;AON6435