产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FDMS9600S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-C
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N+N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TPC8124-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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TPC8124;TPC8124
TPC8124;TPC8124
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60N08L-TA3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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PSMN0R9-25YLC,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SISS40DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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SI6981DQ-T1-GE3-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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P+P-Ch,-20V,-7.5A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.2V
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SQ3426EEV-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,60V,7A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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APM4115PUC-TRL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-40V,-50A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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TPC8110(TE12L,Q,M)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-40V,-8A,RDS(on)=17.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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2SK2955-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMTH10H017LPDQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,100V,30A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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AOTF9N70-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,700V,5A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPP60R280E6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SSM3K15FS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-3
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N-Ch,20V,0.85A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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SSM3K15FS
SSM3K15FS
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MCAC2D6N06YL-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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