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产品列表

共计 22704 条库存
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CSD17581Q3AT-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
TPH3R10AQM,LQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.45(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
SI7478DP-T1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
SI7478DP-T1;SI7478DP-T1
SI7478DP-T1;SI7478DP-T1
R6015ANX-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SUP53P06-20-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
P-Ch,-60V,-50A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
IPW60R045CPA-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,64A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPW60R045CPA
IPW60R045CPA
STP110N10F7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STP110N10F7;STP110N10F7
STP110N10F7;STP110N10F7
BUK9Y3R0-40E,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SIR182DP-T1-RE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SIR182DP-T1-RE3;SIR182DP-T1-RE3
SIR182DP-T1-RE3;SIR182DP-T1-RE3
STF57N65M5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,36A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STW26NM50-VB
中高压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,500V,30A,RDS(on)=120(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STW26NM50;STW26NM50
STW26NM50;STW26NM50
MCU018N06L-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
MCAC75N04Y-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
STGP10NC60KD-VB
IGBT管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
IGBT+FRD,600/650V,10A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
STGP10NC60KD;STGP10NC60KD
STGP10NC60KD;STGP10NC60KD
IRL3713SPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,30V,260A,RDS(on)=1.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V