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产品列表

共计 22704 条库存
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AOSD62666E-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
AOSD62666E;AOSD62666E
AOSD62666E;AOSD62666E
TPH3R203NL,L1Q-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRF540NSTRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,45A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
STP80NE03L-06-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FQD13N10L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
FS20SM-12-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO3P
N-Ch,600V,15A,RDS(on)=280(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPW65R099C6FKSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
AUIRF2805L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO262
N-Ch,60V,210A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
RU40L10L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-40V,-50A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
RU40L10L;RU40L10L
RU40L10L;RU40L10L
IPG20N06S2L-65A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+N-Ch,60V,17A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPG20N06S2L-65A
IPG20N06S2L-65A
TK7E80W,S1X-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,800V,6A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TPH1R306PL1,LQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
TPC8113(TE12L,Q)-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
SIR403EDP-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-120A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
IPB123N10N3 G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V