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产品列表

共计 22704 条库存
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SIHG080N65SF-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FDD8445-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FDD8445;FDD8445
FDD8445;FDD8445
AON7232-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IRFI510GPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,100V,18A,RDS(on)=86(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
BSC010N04LSCATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STD17NF03LT4-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STD17NF03LT4;STD17NF03LT4
STD17NF03LT4;STD17NF03LT4
BSC030N08NS5ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,80V,140A,RDS(on)=2.65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
BSC030N08NS5ATMA1
BSC030N08NS5ATMA1
BSO301SP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-13.5A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
PHB145NQ06T,118-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPW60R190C6-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPW60R190C6;IPW60R190C6
IPW60R190C6;IPW60R190C6
BUK7Y1R0-40N-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SI4484EY-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,100V,9A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
RFP30P05-VB
P沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
P-Ch,-60V,-45A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
RFP30P05
RFP30P05
BUK7E04-40A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO262
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
NTD600N80S3Z-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,800V,8A,RDS(on)=550(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
NTD600N80S3Z;NTD600N80S3Z
NTD600N80S3Z;NTD600N80S3Z