产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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RJK0348DPA-01#J0-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRLU8113PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STL22N65M5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8X8
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SQS411ENW-T1_GE3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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SI4980DY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,80V,3.5A,RDS(on)=62(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NCE1540AD-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,150V,75A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BUK964R4-40B,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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19N10L-TM3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=110(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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AONS66908-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.45(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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AONS66908
AONS66908
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TPM2R408QM-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BSS138WQ-7-F-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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STP18NM80-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,800V,20A,RDS(on)=240(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STP18NM80;STP18NM80
STP18NM80;STP18NM80
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2SK4085LS-CB11-VB
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中高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,500V,15A,RDS(on)=290(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FDMS7678-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=4.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~2V
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SPP10N10-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,18A,RDS(on)=127(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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