产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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ZVNL120A-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO92
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N-Ch,200V,0.6A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.5V
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ZVNL120A
ZVNL120A
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AFN3466TS6RG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STW38N65M5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STW38N65M5;STW38N65M5
STW38N65M5;STW38N65M5
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3N80L-TN3-R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,800V,2A,RDS(on)=2600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FDMA1029PZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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P+P-Ch,-20V,-5.3A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.8V
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AP9985GM-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,40V,10A,RDS(on)=14(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IXFX64N60P3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=83(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=4.29V
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IXFX64N60P3
IXFX64N60P3
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CRJS99N65G2BF-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,36A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPD068N10N3 G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPP65R310CFD-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,15A,RDS(on)=220(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RBE039N15R1SZQ4#GB0-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLL
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N-Ch,150V,240A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.3V
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IPA80R600P7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,800V,9A,RDS(on)=600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PHP30NQ15T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,150V,20A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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K4115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,900V,9A,RDS(on)=750(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SCT055H65G3AG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263-7L-HV
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N-Ch,650V,35A,RDS(on)=55(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +20V,Vth=1.5~4.5V
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