产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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B200NF04-VB TO263
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STP20NK50ZFP-VB
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SISA72DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,40V,60A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NTD3055L104G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,18A,RDS(on)=73(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTD3055L104G
NTD3055L104G
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IPD65R400CE-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,15A,RDS(on)=240(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPD65R400CE;IPD65R400CE
IPD65R400CE;IPD65R400CE
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HM3401-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IPL60R650P6SATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTMFS5C682NLT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NVMFS5C466NLT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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SS104-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-5.8A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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4410M-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSC670N25NSFDATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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SI7852ADP-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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RU30L70L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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J503-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-38A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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